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| Artikel-Nr.: 3794E-1464374 Herst.-Nr.: IXFK66N85X EAN/GTIN: 5059041431842 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Gehäusegröße = TO-264 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V Verlustleistung max. = 1,25 kW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±30 V Breite = 5.3mm Serie = HiperFET
Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 66 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Gehäusegröße: | TO-264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 1,25 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 5.3mm | Serie: | HiperFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 1464374, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFK66N85X, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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