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IXYS HiperFET IXFT60N65X2HV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1464378
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFT60N65X2HV
EAN/GTIN:
     5059041642132
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-268HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 780 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 15.15mm
Höhe = 5.1mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
60 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-268HV
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
52 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3.5V
Verlustleistung max.:
780 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
15.15mm
Höhe:
5.1mm
Weitere Suchbegriffe: 1464378, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFT60N65X2HV, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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