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| Artikel-Nr.:
3794E-1464383 Herst.-Nr.:
IXFB90N85X EAN/GTIN:
5059041642507 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Gehäusegröße = PLUS264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,79 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 26.59mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 90 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Gehäusegröße: | PLUS264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 41 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 1,79 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 26.59mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1464383, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFB90N85X, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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