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| Artikel-Nr.:
3794E-1464396 Herst.-Nr.:
IXFN110N85X EAN/GTIN:
5059041643306 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,17 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 25.07mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.4V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 33 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 1,17 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 25.07mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.4V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 1464396, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN110N85X, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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