|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1464398 Herst.-Nr.:
IXFN150N65X2 EAN/GTIN:
5059041722728 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 145 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 17 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 25.07mm
Höhe = 9.6mm
Niedriger RDS(ON) und Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Resonanznetzteile Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge) AC- und DC-Motorantriebe DC/DC-Konverter Robotik und Servosteuerung Akkuladegeräte 3-stufige Solarwechselrichter LED-Beleuchtung Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs) Höhere Effizienz Hohe Leistungsdichte Einfache Montage Platzersparnis Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 145 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 17 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 1,04 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 25.07mm | Höhe: | 9.6mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1464398, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN150N65X2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |