|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1464434 Herst.-Nr.:
IRFU420PBF EAN/GTIN:
5059040665118 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 2.39mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 2.39mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 1464434, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFU420PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |