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Vishay SI3473CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1464441
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI3473CDV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040664609
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = -1V
Gate-Schwellenspannung min. = -0.4V
Verlustleistung max. = 4,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Breite = 1.7mm
Höhe = 1mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
8 A
Drain-Source-Spannung max.:
12 V
Gehäusegröße:
TSOP-6
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
6
Drain-Source-Widerstand max.:
36 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
-1V
Gate-Schwellenspannung min.:
-0.4V
Verlustleistung max.:
4,2 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±8 V
Breite:
1.7mm
Höhe:
1mm
Weitere Suchbegriffe: 1464441, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI3473CDVT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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