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| Artikel-Nr.:
3794E-1464775 Herst.-Nr.:
DMTH6016LSD-13 EAN/GTIN:
5059043756783 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 28 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,4 W
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 1.5mm
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 28 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,4 W | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1464775, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMTH6016LSD13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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