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| Artikel-Nr.:
3794E-1503965 Herst.-Nr.:
C3M0120100J EAN/GTIN:
5059045203339 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 170 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +15 V, +9 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 21,5 @ 4/+15 V
Höhe = 4.32mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Gehäusegröße: | TO-263-7 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 170 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 83 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +15 V, +9 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 21,5 @ 4/+15 V | Höhe: | 4.32mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1503965, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C3M0120100J, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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