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Nexperia BUK7208-40B,118 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1513371
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BUK7208-40B,118
EAN/GTIN:
     5059043657257
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet dpak
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.9V
Verlustleistung max. = 167 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Betriebstemperatur max. = +185 °C
Automobilstandard = AEC-Q101

N-Kanal TrenchMOS-Standardpegel-FET, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) für Standardpegel in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß dem entsprechenden AEC-Standard für kritische Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und zugelassen.Geringe Leitungsverluste aufgrund eines niedrigen Durchlasswiderstands Q101-konform Geeignet für Gate-Ansteuerungsquellen mit Standardpegel Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 185 °C: 12-V-Lasten Kfz-Systeme Universelles Ein-/Ausschalten Motoren, Leuchten und Magnete
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
75 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
15,6 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.4V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.9V
Verlustleistung max.:
167 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
20 V
Betriebstemperatur max.:
+185 °C
Automobilstandard:
AEC-Q101
Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, mosfet 75a, 1513371, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BUK720840B,118, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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