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| Artikel-Nr.:
3794E-1526376 Herst.-Nr.:
SQ2361ES-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040673731 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 320 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = -2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = -1.5V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 9 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung = -1.2V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 320 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | -2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | -1.5V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 9 nC @ 10 V | Diodendurchschlagsspannung: | -1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1526376, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2361EST1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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