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| Artikel-Nr.:
3794E-1526380 Herst.-Nr.:
SUD50P06-15-GE3 EAN/GTIN:
5059040893696 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-252AA
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 28 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = -3V
Gate-Schwellenspannung min. = -1V
Verlustleistung max. = 113 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6.22mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-252AA | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 28 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | -3V | Gate-Schwellenspannung min.: | -1V | Verlustleistung max.: | 113 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 6.22mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 1526380, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUD50P0615GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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