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| Artikel-Nr.:
3794E-1526382 Herst.-Nr.:
TP0610K-T1-E3 EAN/GTIN:
5059040670556 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 185 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = -3V
Gate-Schwellenspannung min. = -1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = -1.4V
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 185 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | -3V | Gate-Schwellenspannung min.: | -1V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | -1.4V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1526382, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, TP0610KT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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