Nexperia PMXB56ENZ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = DFN1010D-3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 87 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 8,33 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 1.05mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

N-Kanal-MOSFETs, 25 V – 30 V, robuste Leistung dank fortschrittlicher Technologie, einfach zu verwendende MOSFETs im Bereich von 25 V bis 30 V. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistung und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA). Benötigen Sie eine andere Nennspannung? Schauen Sie sich den Rest unseres riesigen Portfolios an, um mehr Optionen zu sehen.N-Kanal Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.Trench MOSFET-Technologie Extrem kleines und dünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung Sehr niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle von RDSon = 49 mΩ Sehr schnelle Schaltung Low-Side-Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte Stromüberwachung in batteriebetriebenen mobilen Geräten LED-Treiber DC/DC-Wandler