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| Artikel-Nr.:
3794E-1530781 Herst.-Nr.:
PMV20XNEAR EAN/GTIN:
5059043668116 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 34 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.25V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.75V
Verlustleistung max. = 6,94 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 12 V
Breite = 1.4mm
Automobilstandard = AEC-Q101 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 34 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.25V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.75V | Verlustleistung max.: | 6,94 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 12 V | Breite: | 1.4mm | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1530781, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV20XNEAR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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