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| Artikel-Nr.:
3794E-1531880 Herst.-Nr.:
NX7002BKXBZ EAN/GTIN:
5059043666808 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 260 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DFN1010B-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5,7 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 4032 mW
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 1.05mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).Zweifach-N-Kanal Trench-MOSFET für 60 V, Zweifach-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.Kompatibel mit Logik-Ebene Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Trench MOSFET-Technologie Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber Low-Side-Lastschalter Schalten von Stromkreisen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 260 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DFN1010B-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,7 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 4032 mW | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 1.05mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1531880, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, NX7002BKXBZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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