|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-155135 Herst.-Nr.:
ZVN2110GTA EAN/GTIN:
5059043355757 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 500 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 155135, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN2110GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |