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| Artikel-Nr.:
3794E-1629600 Herst.-Nr.:
NJW21194G EAN/GTIN:
5059042459265 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 16 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 200 W
Gleichstromverstärkung min. = 20
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 400 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 16 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-3P | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 200 W | Gleichstromverstärkung min.: | 20 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 400 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1629600, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NJW21194G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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