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| Artikel-Nr.:
3794E-1631118 Herst.-Nr.:
NTJD4158CT1G EAN/GTIN:
5059042454086 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 250 mA, 880 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V, 30 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω, 500 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 270 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Breite = 1.35mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor. Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 250 mA, 880 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V, 30 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,5 Ω, 500 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 270 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, -12 V, +12 V, +20 V | Breite: | 1.35mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1631118, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTJD4158CT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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