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| Artikel-Nr.:
3794E-1631137 Herst.-Nr.:
NTR4502PT1G EAN/GTIN:
5059042435306 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 2.9mm
Höhe = 1mm
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 350 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 1,25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 2.9mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 1631137, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTR4502PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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