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| Artikel-Nr.:
3794E-1631143 Herst.-Nr.:
NTS4409NT1G EAN/GTIN:
5059042472950 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 700 mA
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 330 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Breite = 1.35mm
Höhe = 0.9mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 25V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 700 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 330 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 1631143, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTS4409NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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