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| Artikel-Nr.:
3794E-1632362 Herst.-Nr.:
BD139G EAN/GTIN:
5059042200652 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 1,5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Gehäusegröße = TO-225
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 1,25 W
Gleichstromverstärkung min. = 40
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 11.04 x 7.74 x 2.66mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-NPN-Transistoren, über 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 1,5 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Gehäusegröße: | TO-225 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 1,25 W | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 11.04 x 7.74 x 2.66mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1632362, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BD139G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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