STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode , 1200V / 10A, 2-Pin DO-247LL

Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = DO-247LL
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 2.25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 420A

Die SiC-Diode, erhältlich in TO-220AC, DPAK HV, D²PAK und DO-247 LL, ist ein äußerst leistungsstarker Schottky-Gleichrichter. Die Diode ist aus einem Siliziumkarbid-Substrat gefertigt. Das Material mit breitem Bandabstand ermöglicht die Konstruktion einer VF-Schottky-Diode mit niedriger Durchlassspannung und 1200 V Nennleistung. Aufgrund der Schottky-Konstruktion wird beim Ausschalten keine Wiederherstellung angezeigt und Klingelmuster sind unerheblich. Das minimale kapazitive Ausschaltverhalten ist unabhängig von der Temperatur. Diese SIC-Diode von ST ist besonders geeignet für den Einsatz in PFC- und sekundärseitigen Anwendungen und erhöht die Leistung unter harten Schaltbedingungen. Dieser Gleichrichter verbessert die Leistung der Zielanwendung. Seine hohe Stoßspannungsfestigkeit in Durchlassrichtung gewährleistet eine gute Stabilität in den EinschwingphasenKeine oder geringe SperrverzögerungSchaltverhalten unabhängig von der TemperaturRobuste HochspannungsumgebungBetriebstemperatur von –40 °C bis 175 °CNiedrige VF