|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1652765 Herst.-Nr.:
SI7309DN-T1-E3 EAN/GTIN:
5059040702899 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 115 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14,5 nC @ 10 V
Höhe = 1.04mm
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 115 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 14,5 nC @ 10 V | Höhe: | 1.04mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1652765, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7309DNT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |