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| Artikel-Nr.:
3794E-1652794 Herst.-Nr.:
SUM45N25-58-E3 EAN/GTIN:
5059040892699 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 58 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3,75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 95 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 58 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 95 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1652794, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUM45N2558E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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