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| Artikel-Nr.:
3794E-1652816 Herst.-Nr.:
SUP57N20-33-E3 EAN/GTIN:
5059040703582 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 57 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 3,75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.7mm
Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 57 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 33 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.7mm | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1652816, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUP57N2033E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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