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| Artikel-Nr.:
3794E-1652835 Herst.-Nr.:
SIHG47N60E-GE3 EAN/GTIN:
5059040702578 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 47 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 357 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 20.7mm
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor. Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS). Merkmale. Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Niedriger Widerstand (RDS(ein)) Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 47 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 64 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 357 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 20.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet to-247ac, 1652835, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHG47N60EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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