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Vishay Schaltdiode Gemeinsame Anode 250mA 2 Element/Chip SMD 70V SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Vishay Schaltdiode Gemeinsame Anode 250mA 2 Element/Chip SMD 70V SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V
Artikel-Nr.:
     3794E-1652878
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     BAW56-E3-08
EAN/GTIN:
     5059040702370
Suchbegriffe:
Schaltdiode
schaltdiode
Diodenkonfiguration = Gemeinsame Anode
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Sperrspannung max. = 70V
Gehäusegröße = SOT-23
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Pinanzahl = 3
Betriebstemperatur min. = –65 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Länge = 3.1mm
Breite = 1.43mm
Höhe = 1.05mm
Abmessungen = 3.1 x 1.43 x 1.05mm

Glaspassivierte Schnellschalter-Kunststoffgleichrichter. Funktionen Superektifier-Struktur für hohe Zuverlässigkeit Glaspassivierte Sperrschicht ohne Hohlraum Schnelles Schalten für hohen Wirkungsgrad Niedriger Leckstrom, typischer IR weniger als 0,2 μA Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit Tauchlöten bei 275 °C für max. 10 s, gemäß JESD 22-B106 Typische Anwendungen: Hochspannungsgleichrichtung von G2-Raster-CRT und TV, Klemmvorrichtung Stromkreis des Kamerablitzes. Mechanische Daten Gehäuse: Do-204AL, geformtes Epoxidharz über Glaskörper Formmasse erfüllt Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0 Sockel P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung Anschlussklemmen: Matt verzinnte Leitungen, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD 22-B102 E3-Suffix erfüllt Whisker-Test JESD 201 Klasse 1A. Polarität: Farbband kennzeichnet Kathodenende
Weitere Informationen:
Diodenkonfiguration:
Gemeinsame Anode
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Sperrspannung max.:
70V
Gehäusegröße:
SOT-23
Diodentechnologie:
Siliziumverbindung
Pinanzahl:
3
Betriebstemperatur min.:
–65 °C
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Länge:
3.1mm
Breite:
1.43mm
Höhe:
1.05mm
Abmessungen:
3.1 x 1.43 x 1.05mm
Weitere Suchbegriffe: 1652878, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Vishay, BAW56E308, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes
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