Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 450nm → 1080nm / 7500μA, 2-Pin 5mm

Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 2.3µs
Regelanstiegszeit = 2µs
Lichtstrom max. = 7500µA
Dunkelstrom max. = 200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = ±20°
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = 5 mm (T-1 3/4)
Abmessungen = 5 (Dia.) x 8.6mm
Kollektorstrom = 50mA
Wellenlänge min. = 450nm
Höhe über Panel = 8.6mm

Fototransistoren der Serien BPW96B und BPW96C. Die Serien BPW96B und BPW96C von Vishay Semiconductors gehören zur Familie der Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie befinden sich in durchkontaktierten 5-mm-Standardgehäusen (T-1 3/4) mit einer klaren Kunststofflinse. Dies ermöglicht es den BPW96B- und BPW96C-Fototransistoren, empfindlich auf sichtbare und nahe IR-Strahlung zu reagieren. Geeignete Anwendungen für diese Transistoren sind elektronische Steuerungs- und Antriebsschaltkreise. Funktionen der BPW96B- und BPW96C-Fototransistoren: 5-mm-Gehäuse (T-1 3/4) Durchgangsbohrungsmontage Transparentes Kunststoffgehäuse Hohe Fotoempfindlichkeit Hohe Strahlungsempfindlichkeit Schnelle Ansprechzeiten