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| Artikel-Nr.: 3794E-1655600 Herst.-Nr.: IRLR024NTRLPBF EAN/GTIN: 5059043331430 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 45 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V Breite = 6.22mm Höhe = 2.39mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.39mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 1655600, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLR024NTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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