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| Artikel-Nr.: 3794E-1655732 Herst.-Nr.: BSS123NH6433XTMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 mA Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V Verlustleistung max. = 500 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 1.3mm Höhe = 1mm
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 190 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.3mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1655732, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS123NH6433XTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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