Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
3794E-1655810 Herst.-Nr.:
BSP324H6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043463834 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 170 mA
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 25 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 3.5mm
Höhe = 1.6mm
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 170 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Serie: | SIPMOS® | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 25 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.5mm | Höhe: | 1.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1655810, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP324H6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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