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| Artikel-Nr.:
3794E-1655811 Herst.-Nr.:
BSP125H6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043088624 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 mA
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 45 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 3.5mm
Höhe = 1.5mm
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.5mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1655811, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP125H6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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