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| Artikel-Nr.:
3794E-1655871 Herst.-Nr.:
BSS806NEH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043467917 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1mm
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2. Die Infineon -OptiMOS™-2 -N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2 -Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 82 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1655871, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS806NEH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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