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| Artikel-Nr.:
3794E-1655872 Herst.-Nr.:
BSD235NH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043989297 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 950 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Höhe = 0.8mm
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2. Die Infineon -OptiMOS™-2 -N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2 -Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 950 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1655872, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSD235NH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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