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Vishay SI7129DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,5 A 52,1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-1656294
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7129DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040652453
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 52,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 3.15mm
Höhe = 1.07mm

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
11,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
20 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1.5V
Verlustleistung max.:
52,1 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
3.15mm
Höhe:
1.07mm
Weitere Suchbegriffe: 1656294, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7129DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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