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| Artikel-Nr.:
3794E-1656297 Herst.-Nr.:
SIA416DJ-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040909717 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAK SC-70
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.6V
Verlustleistung max. = 19 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 2.15mm
Höhe = 0.75mm
N-Kanal MOSFET, mittlerer Spannung/thunderfet®, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SC-70 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 130 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.6V | Verlustleistung max.: | 19 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 2.15mm | Höhe: | 0.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 11a mosfet, 1656297, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIA416DJT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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