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| Artikel-Nr.: 3794E-1656339 Herst.-Nr.: SI7900AEDN-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040763906 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Verlustleistung max. = 1,5 W Transistor-Konfiguration = Gemeinsamer Drain Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Breite = 3.15mm Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 36 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Gemeinsamer Drain | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 3.15mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656339, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7900AEDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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