|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1656345 Herst.-Nr.:
SI8489EDB-T2-E1 EAN/GTIN:
5059040819771 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = MICRO FOOT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 0.268mm
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | MICRO FOOT | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 82 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 0.268mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1656345, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI8489EDBT2E1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |