Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
3794E-1656879 Herst.-Nr.:
BSZ086P03NS3EGATMA1 EAN/GTIN:
5059043208749 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = OptiMOS P
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 13,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.1V
Verlustleistung max. = 69 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 3.4mm
Höhe = 1.1mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P. Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS ™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.. Enhancement-Modus Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Schalt- und Leitungsverluste Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform Standardgehäuse P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | OptiMOS P | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.1V | Verlustleistung max.: | 69 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Breite: | 3.4mm | Höhe: | 1.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656879, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSZ086P03NS3EGATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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