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| Artikel-Nr.:
3794E-1656899 Herst.-Nr.:
SI1025X-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040656208 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 135 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SC-89-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 250 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 1,7 nC @ 15 V
Höhe = 0.6mm
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 135 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SC-89-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 250 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 1,7 nC @ 15 V | Höhe: | 0.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1025XT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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