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| Artikel-Nr.:
3794E-1656922 Herst.-Nr.:
SISS23DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040655928 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 27 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 57 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.78mm
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 27 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 57 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.78mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656922, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISS23DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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