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| Artikel-Nr.: 3794E-1656973 Herst.-Nr.: SI7615ADN-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040652590 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Verlustleistung max. = 52 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Breite = 3.4mm Höhe = 1.12mm
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 52 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 3.4mm | Höhe: | 1.12mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656973, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7615ADNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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