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| Artikel-Nr.:
3794E-1657074 Herst.-Nr.:
SIRA06DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040651555 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 3,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 62,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.12mm
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 62,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.12mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, 1657074, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIRA06DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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