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| Artikel-Nr.:
3794E-1657113 Herst.-Nr.:
SIHP8N50D-GE3 EAN/GTIN:
5059040818590 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 850 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 156 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 850 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 156 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1657113, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP8N50DGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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