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| Artikel-Nr.:
3794E-1657142 Herst.-Nr.:
2N7002K-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040657687 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.02mm
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 300 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1657142, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, 2N7002KT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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