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| Artikel-Nr.:
3794E-1657218 Herst.-Nr.:
IRFR9120TRPBF EAN/GTIN:
5059040657151 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 5,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 42 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 18 nC @ 10 V
Höhe = 2.38mm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 5,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 600 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 42 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 18 nC @ 10 V | Höhe: | 2.38mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1657218, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFR9120TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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