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| Artikel-Nr.:
3794E-1658068 Herst.-Nr.:
IPB200N25N3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043983523 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 4.57mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 64 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 4.57mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1658068, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB200N25N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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