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| Artikel-Nr.:
3794E-1658845 Herst.-Nr.:
DMN65D8LDW-7 EAN/GTIN:
5059043991597 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.35mm
Höhe = 1mm
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1658845, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN65D8LDW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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