| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1659771 Herst.-Nr.: PMV48XP,215 EAN/GTIN: 5059043340388 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.25V Gate-Schwellenspannung min. = 0.75V Verlustleistung max. = 415 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Länge = 3mm Höhe = 1mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 55 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.25V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.75V | Verlustleistung max.: | 415 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Länge: | 3mm | Höhe: | 1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1659771, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV48XP,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |